GAL20V8B芯片解密,LATTICE PLD芯片解密

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GAL20V8B的器件包括： GAL20V8B-7LP, GAL20V8B-7LPN, GAL20V8B-10LP, GAL20V8B-10LPN, GAL20V8B-15LP, GAL20V8B-15LPN, GAL20V8B-25LP, GAL20V8B-25LPN, GAL20V8B-10LPI, GAL20V8B-10LPNI, GAL20V8B-15LPI, GAL20V8B-15LPNI, GAL20V8B-25LPI, GAL20V8B-25LPNI, GAL20V8B-15QP, GAL20V8B-15QPN, GAL20V8B-25QP, GAL20V8B-25QPN, GAL20V8B-20QPI, GAL20V8B-20QPNI, GAL20V8B-25QPI, GAL20V8B-25QPNI, GAL20V8B-15LJ, GAL20V8B-15LJN, GAL20V8B-25LJ, GAL20V8B-25LJN, GAL20V8B-15LJI, GAL20V8B-15LJNI, GAL20V8B-25LJI, GAL20V8B-25LJNI, GAL20V8B-15QJ, GAL20V8B-15QJN, GAL20V8B-25QJ, GAL20V8B-25QJN, GAL20V8B-20QJI, GAL20V8B-20QJNI, GAL20V8B-25QJI, GAL20V8B-25QJNI。

 

在3.5纳秒GAL20V8，最大传输延迟时间，结合一种高性能的CMOS工艺与电可擦除（E2）的浮动门技术，提供最高速度表现在PLD市场。高速擦除时间“（<100毫秒）允许器件重新编程速度和效率。通用的架构提供了最大的设计灵活性使输出逻辑宏单元（OLMC）来进行配置用户。许多建筑的一个重要子集配置与GAL20V8可能是PAL制式架构上市在宏的描述节表。 GAL20V8器件这些都是PAL制式模拟架构与任何有能力充分功能/熔丝图/参数的兼容性。独特的测试电路和可重复编程的细胞允许完整的交流，直流电，在制造过程中的功能测试。因此，格安森美半导体提供100％的现场可编程和功能所有GAL产品。此外，100擦除/写周期，数据保存20年以上指定。

•高性能E2CMOS ®技术

- 3.5 ns的最大传输延迟

- 250兆赫的Fmax =

- 3.0 ns的最大时钟输入到数据输出

- UltraMOS ®技术先进的CMOS

•50％至75％，减少权力从两极

- 对低功率器件75mA的典型电流Icc

- 上一季度电力设备四五毫安典型电流Icc

•主动上拉对所有引脚

•E2的电池技术

- 可重构逻辑

- 细胞重新编程

- 100％Tested/100％的产率

- 高速电擦除“（<100毫秒）

- 20年的数据保存

•八个输出逻辑宏单元

- 最大的复杂逻辑设计的灵活性

- 可编程输出极性

- 兼C仿真20针PAL制式®器件具有完全功能/熔丝图/参数兼容性

•预载和上电复位所有寄存器

- 100％的功能可测性

•应用程序包括：

- DMA控制

- 状态机控制

- 高速图形处理

- 标准逻辑速度升级

•电子签名鉴定

•无铅封装选择

 

基于GAL20V8B的以上特性，我们目前已经成功完成GAL20V8B芯片解密，更多可解密LATTICE PLD芯片解密型号不断更新中，如果您有LATTICE芯片解密需求，欢迎来电来访咨询洽谈。24小时热线电话：0755-25895856。